Установка разгонки легирующей примеси в полупроводниковых приборах с контролем электрических параметров

Установка предназначена для получения протяжённых областей объёмного заряда в литий-дрейфовых детекторах ионизирующих излучений.
Принцип работы установки: для проведения дрейфа ионов лития в кремниевом кристалле на p-n- переход подаётся постоянное обратное смещение при повышенной температуре. Упрощённо установка состоит из подогреваемой плиты, на которую устанавливаются кристаллы кремния, источника питания, с которого на кристаллы подаётся постоянное обратное смещение и приборов, контролирующих и регулирующих режим дрейфа.

Технические характеристики рабочей зоны:
- Контакты для прижима: подвижный контакт диаметром 4мм со сферическим наконечником;
- Усилие прижима 0,2 кгс;
- Толщина прижимаемых кристаллов 0,7 – 3 мм.