Установка предназначена для проведения процессов осаждения тонких пленок на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм. Циклическая подача реагентов позволяет послойно осадить тонкую пленку целевого материала требуемой толщины с высокой точностью.

Установка предназначена для атомно-слоевого осаждения плёнок оксидов, сульфидов и нитридов металлов при производстве солнечных батарей.

Система с загрузкой и выгрузкой образцов в инертной атмосфере перчаточного бокса для изготовления изделий органической электроники. Типы источников в системе: Магнетрон постоянного тока; ВЧ магнетрон; Источник ионной очистки; Источник ионно-лучевого нанесения; Источник термического испарения; Электронно-лучевой испаритель.

Установка предназначена для ионно-плазменного нанесения эмиссионных покрытий на поверхность кернов катодов электровакуумных приборов. В основе работы установки лежит принцип реактивного распыления порошкообразной смеси окислов щелочноземельных металлов для получения молекулярно напыленного оксидного покрытия на кернах катодов.

Установка предназначена для двухстороннего нанесения негативного фоторезиста на гибкие подложки методом «вытягивания» и последующей их сушки инфракрасным нагревателем (ИК), как в автоматическом, так и в ручном режиме.

Установка химического осаждения вольфрама из термического разложения гексофторида вольфрама в водороде. Предназначена для нанесения защитных покрытий из пиролитического вольфрама на теплонагруженные элементы электровакуумных приборов. Установка может быть также использована для формообразования изделий из вольфрама.

Установка осаждения – это система, в которой оксид олова, легированный сурьмой, полученный из впрыскиваемого в камеру аэрозоля, осаждается на керамических трубках в соответствии с химической реакцией образования металлокерамики.